Transistors. Page 89 sur 114. Avtronic

Transistor IXGR60N60C2D1

38.75€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 95ns

0

Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N IXGR60N60C3D1

23.30€ TTC

45 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 76A/105Ap. 268W Vce(sat) : 1.6V-1.9V

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Tarifs dégressifs

Transistor IXTA36N30P

17.14€ TTC

3 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 300V. Courant de Drain maxi: 36A. Puissance: 300W. Rds<0.092 Ohms. PolarHTTM Power MOSFET. Boîtier: D2Pak TO-263AB.

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Tarifs dégressifs

Transistor IXTH96N20P

29.12€ TTC

5 En stock

Transistor MOSFET canal N 200V 96A/225Ap 600W 0.024R (75A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IXTK90P20P

58.91€ TTC

22 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 200V 90A. Boîtier: TO-264. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 90A. Puissance: 890W. Résistance Rds: 0.044 Ohms. PolarPTM Power MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IXTP36N30P

15.96€ TTC

110 En stock

Transistor MOSFET canal-N 300V 36A/90Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.092 Ohms (36A)

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IXTP50N25T

26.26€ TTC

26 En stock

Transistor MOSFET canal-N 250V 50A/130Ap 400W. Résistance passante RDSon : 0.06 Ohms (36A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IXTQ36N30P

21.50€ TTC

7 En stock

Transistor MOSFET canal N 300V 36A/90Ap 300W 0.092R (36A). Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 300V. Id(T:25): 36A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 36A. Id(imp): 90 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 200 uA. Vgs: 30V. Vgs(th) min.: 3V. Vgs(th) max.: 5

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Tarifs dégressifs

Transistor IXTQ88N30P

33.38€ TTC

36 En stock

Transistor MOSFET canal N 300V 88A/220Ap 600W 0.04R (75A). Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 300V. Id(T:25): 88A. Puissance: 600 W. Id(T:100): 75A. Id(imp): 220 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 1mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Vgs(th) max.:

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Tarifs dégressifs

Transistor J107

1.51€ TTC

261 En stock

Transistor J107 N-FET 25V Idss: 100mA 625mW Up4.5V 4/6nS. Boîtier: TO-92. Constructeur: SILICONIX.

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Tarifs dégressifs

Transistor J108

8.34€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FET canal N (N-FET) 25V Idss 80mA Up:10V. 4/6ns. Boîtier: TO-92. Vds(max): 25V. Puissance: 350 mW.

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Tarifs dégressifs

Transistor J111

0.90€ TTC

108 En stock

Transistor FET canal N (N-FET) 35V Idss 20mA Up<10V 625m. Vds(max): 35V. Id(@25ºC): 20mA. Boîtier: TO-92.

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Tarifs dégressifs

Transistor J112

1.57€ TTC

57 En stock

Transistor FET canal N (N-FET) 35V Idss 5mA Up<5V. Vds(max): 35V. Id(@25ºC): 5mA. Puissance: 625 mW. Boîtier: TO-92.

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Tarifs dégressifs

Transistor J113

1.74€ TTC

1597 En stock

Transistor J113 N-FET 35V Idss: 2mA Up<3V 625mW. TO-92. Up 3.0V. Constructeur: FAIRCHILD. Tension de Drain maxi: 35 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 mA. Puissance: 625 mW

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Tarifs dégressifs

Transistor J174

9.74€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor P-FET 30V. Courant de drain maxi: -50mA. Puissance: 350mW. Résistance passante (Rds): 85 Ohms. Boîtier: TO-92.

0

Tarifs dégressifs

Transistor J176

2.69€ TTC

101 En stock

Transistor P-FET 30V. Courant de drain maxi: -50mA. Puissance: 350mW. Résistance passante (Rds): 250 Ohms. Boîtier: TO-92.

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Tarifs dégressifs

Transistor J202

1.23€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor J202 N-FET 40V Idss: 0.9..4.5mA Up<4V TO-92. Constructeur: NSC.

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Tarifs dégressifs

Transistor J310

2.41€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FET canal N (N-FET) 25V Idss 24/60mA. Boîtier: TO-92. Id(@25ºC): 60mA. Puissance: 625 mW.

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Tarifs dégressifs

Transistor KD366B

4.54€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire PNP Darlington. 100V 6A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Vcbo: 100V. Courant de collecteur maxi: 8A. Puissance: 60W. Fréquence maxi: 7MHz. Gain Hfe: 750.

0

Tarifs dégressifs

Transistor KF506

2.41€ TTC

155 En stock

Transistor NPN KF506 75V 500mA 0.8W 30.60MHz. Vce maxi: 75 V. Courant de collecteur maxi: 500 mA. Boîtier: TO-5. hFE:35-125. Constructeur: TESLA. Lo-Pwr BJT. Puissance: 0.8 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor KN1204

1.96€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN KN1204. SI-N+R 50V 0.1A Rb=47K Rbe=47K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. K1204. 0TR120409AA. Constructeur: SKN. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IXGR60N60C2D1

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 95ns

Transistor IGBT canal-N IXGR60N60C3D1

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 76A/105Ap. 268W Vce(sat) : 1.6V-1.9V

Transistor IXTA36N30P

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 300V. Courant de Drain maxi: 36A. Puissance: 300W. Rds<0.092 Ohms. PolarHTTM Power MOSFET. Boîtier: D2Pak TO-263AB.

Transistor IXTH96N20P

Transistor MOSFET canal N 200V 96A/225Ap 600W 0.024R (75A)

Transistor IXTK90P20P

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 200V 90A. Boîtier: TO-264. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 90A. Puissance: 890W. Résistance Rds: 0.044 Ohms. PolarPTM Power MOSFET.

Transistor MOSFET canal-N IXTP36N30P

Transistor MOSFET canal-N 300V 36A/90Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.092 Ohms (36A)

Transistor MOSFET canal-N IXTP50N25T

Transistor MOSFET canal-N 250V 50A/130Ap 400W. Résistance passante RDSon : 0.06 Ohms (36A)

Transistor IXTQ36N30P

Transistor IXTQ88N30P

Transistor J107

Transistor J107 N-FET 25V Idss: 100mA 625mW Up4.5V 4/6nS. Boîtier: TO-92. Constructeur: SILICONIX.

Transistor J108

Transistor FET canal N (N-FET) 25V Idss 80mA Up:10V. 4/6ns. Boîtier: TO-92. Vds(max): 25V. Puissance: 350 mW.

Transistor J111

Transistor FET canal N (N-FET) 35V Idss 20mA Up<10V 625m. Vds(max): 35V. Id(@25ºC): 20mA. Boîtier: TO-92.

Transistor J112

Transistor FET canal N (N-FET) 35V Idss 5mA Up<5V. Vds(max): 35V. Id(@25ºC): 5mA. Puissance: 625 mW. Boîtier: TO-92.

Transistor J113

Transistor J113 N-FET 35V Idss: 2mA Up<3V 625mW. TO-92. Up 3.0V. Constructeur: FAIRCHILD. Tension de Drain maxi: 35 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 mA. Puissance: 625 mW

Transistor J174

Transistor P-FET 30V. Courant de drain maxi: -50mA. Puissance: 350mW. Résistance passante (Rds): 85 Ohms. Boîtier: TO-92.

Transistor J176

Transistor P-FET 30V. Courant de drain maxi: -50mA. Puissance: 350mW. Résistance passante (Rds): 250 Ohms. Boîtier: TO-92.

Transistor J202

Transistor J202 N-FET 40V Idss: 0.9..4.5mA Up<4V TO-92. Constructeur: NSC.

Transistor J310

Transistor FET canal N (N-FET) 25V Idss 24/60mA. Boîtier: TO-92. Id(@25ºC): 60mA. Puissance: 625 mW.

Transistor KD366B

Transistor bipolaire PNP Darlington. 100V 6A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Vcbo: 100V. Courant de collecteur maxi: 8A. Puissance: 60W. Fréquence maxi: 7MHz. Gain Hfe: 750.

Transistor KF506

Transistor NPN KF506 75V 500mA 0.8W 30.60MHz. Vce maxi: 75 V. Courant de collecteur maxi: 500 mA. Boîtier: TO-5. hFE:35-125. Constructeur: TESLA. Lo-Pwr BJT. Puissance: 0.8 W

Transistor KN1204

Transistor NPN KN1204. SI-N+R 50V 0.1A Rb=47K Rbe=47K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. K1204. 0TR120409AA. Constructeur: SKN. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

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